Формируемая многослойная память HBM, известная своей высокой скоростью, остается дорогой и сложной в производстве. Однако, как сообщает издание Business Korea, организация JEDEC готовится внести изменения в требования к высоте стека HBM4E, чтобы облегчить жизнь производителям. На данный момент максимальная высота стека HBM3E составляет 720 мкм, а для HBM4 — 775 мкм. Ожидается, что HBM4E получит новый предел в 900 мкм, что позволит разместить больше ярусов и увеличить емкость стека. Современные микросхемы HBM3E могут иметь до 12 ярусов, но уже имеются образцы чипов HBM3E и HBM4 с 16 ярусами. Кроме того, смягчение требований принесет преимущества: производители смогут сохранить существующие технологии упаковки и снизить уровень брака, что в свою очередь уменьшит затраты. Однако южнокорейские гиганты, такие как Samsung и SK hynix, выражают опасения, что изменения могут открыть двери для китайских конкурентов.