В период президентства Байдена США предприняли шаги к ограничению активности южнокорейских производителей памяти в Китае, однако Samsung и SK hynix продолжили получать доступ к американской технологии, одновременно увеличивая свои инвестиции в модернизацию заводов на китайской земле. В частности, Samsung Electronics в 2023 году вложила $344 млн в обновление своего предприятия в Сиане, что на 67,5% больше по сравнению с предыдущим годом. Этот завод производит до 40% всех микросхем NAND на глобальном рынке. К тому же, SK hynix инвестировала свыше $663 млн в свои китайские предприятия, включая заводы в Уси и Даляне. В условиях роста спроса на память для ИИ, обе компании увеличивают производство, что требует масштабных вложений. Samsung планирует начать выпуск 236-слойной 3D NAND в Китае, тогда как SK hynix модернизирует свои линии под новые технологии DDR5, что значительно повысит их производственные возможности.