Ключевым аспектом нового 2-нм техпроцесса является архитектура транзисторов Gate-All-Around (GAA), которая обеспечивает снижение утечек тока и повышение скорости работы на 10-15%. Это также позволяет сократить энергопотребление на 25-30% по сравнению с 3-нм техпроцессом TSMC. Энергоэффективность становится жизненно важной для серверов ИИ и мощных мобильных устройств.
Samsung применяет опыт GAA с 3-нм техпроцессов для разработки SF2P с MBCFET-транзисторами, позволяя гибко управлять производительностью и энергозатратами. К концу 2025 года компания планирует достичь 60% выхода годных изделий для процессоров Exynos 2600.
С увеличением плотности мощности требуется новое охлаждение. Жидкостное охлаждение на чипах становится необходимым для поддержания работы ИИ-ускорителей, таких как NVIDIA Rubin. Новый техпроцесс также позволяет интегрировать высокоскоростную память HBM4, что снизит задержки и упростит работу с большими ИИ-моделями.
Гонка за клиентами усиливается: Apple уже занимает 50% мощностей TSMC для чипов A20, в то время как Samsung сотрудничает с AMD и Google для разработки новых решений. TSMC установила цену на 2-нм пластины в $30,000, в то время как Samsung предлагает их за $20,000.
Ожидается, что к 2026 году появятся первые коммерческие 2-нм ИИ-ускорители, способные моделировать физическую реальность. Долгосрочные планы связаны с переходом к 1,4-нм техпроцессу и новыми технологиями, такими как системы на пластине, что требует идеального качества изделий.