Компания Intel представила подробности о своих достижениях в производстве двумерных транзисторов 2DFET, которые имеют толщину всего в несколько атомов и подходят для крупносерийного производства. Научные исследования в этой области ведутся уже более десяти лет, однако до недавнего времени транзисторы производились только в лабораторных условиях с использованием небольших образцов. Теперь Intel Foundry и imec продемонстрировали интеграцию технологических модулей на 300-миллиметровых пластинах, что подчеркивает реальность применения 2D-материалов. В процессе производства использовались дихалькогениды переходных металлов, такие как WS₂ и MoS₂. Ключевым достижением стало создание контактов, совместимых с массовым производством, что позволяет сохранить целостность 2D-каналов. Хотя коммерческое внедрение 2D-транзисторов ожидается не раньше второй половины 2030-х годов, работа Intel и imec снижает риски разработки чипов с использованием новых материалов, позволяя тестировать технологии в более реалистичных условиях.