Компания Micron, известный производитель памяти, делает шаг в сторону увеличения своих мощностей, планируя инвестировать около $9.6 миллиардов в строительство новой линии по производству высокоскоростной памяти HBM в Хиросиме, Япония. Это решение обусловлено растущим спросом на память для ускорителей, необходимых в сфере искусственного интеллекта, что приносит производителям значительно большую прибыль по сравнению с традиционными типами памяти, такими как DDR и GDDR. В то время как Samsung рассматривает увеличение своих мощностей в производстве DRAM, Micron сосредоточит свои усилия на более дорогой HBM. Ожидается, что строительство новой линии начнется в следующем году, а массовое производство запланировано на 2028 год. В Японии Micron также уже занимается производством передовой памяти LPDDR5x с использованием технологии EUV-литографии.